热点资讯从被卡脖子到技术反超：长江存储两年破局战，把美国“封锁剧本”撕成了废纸
# 从被卡脖子到技术反超：长江存储两年破局战，把美国“封锁剧本”撕成了废纸
2024年初春，彭博社一篇措辞谨慎的报道，悄悄在华盛顿的政客圈子里炸了锅。报道里没说太多狠话，只摆了个让美国难受的事实：被制裁两年的中国长江存储，不仅没像预期那样“停摆”，反而把生产线里的美系设备拆了大半，换上了中国自己造的半导体设备，存储芯片的产能还在稳步往上走。
这消息像根刺，扎在了美国“技术封锁”的底气上——当初他们拍着胸脯说，断了设备供应，长江存储就玩不转，可现在呢？那些用来“卡脖子”的手段，反倒成了长江存储倒逼国产替代的“催化剂”。要讲清这背后的故事，得从长江存储到底是家什么公司，以及它在全球产业链里的分量说起。
## 一、一块“硬盘蛋糕”里的话语权：从“外企垄断”到“中国破局”
现在的人离不开数据——手机里的照片视频、电脑里的工作文件、云端的影视剧集，这些都得靠存储芯片“装”起来。而长江存储做的，正是存储芯片里的“硬通货”——NAND闪存芯片，这种芯片是固态硬盘（SSD）的核心部件，小到手机、平板，大到企业服务器、数据中心，都离不开它。
在2018年之前，全球NAND闪存市场是妥妥的“巨头俱乐部”：三星、SK海力士（韩国）、美光（美国）这三家，加起来占了全球近80%的产能。他们不光垄断产能，还能合起伙来“控价”。2017年的时候，因为巨头们有意缩减产能，固态硬盘价格暴涨，1TB的SSD能卖到近2000元，普通消费者想换个大硬盘，得咬咬牙才舍得买。
更让中国憋屈的是，咱们是全球最大的电子消费市场——全球每三块存储芯片，就有一块卖到了中国。可这么大的需求，咱们自己却造不出高端NAND闪存，只能眼睁睁看着三星、美光把利润揣进兜里。当时国内的电子厂商，比如联想、小米，要做笔记本或手机，都得提前跟三星排队订货，价格、交货时间全由人家说了算，一点议价权都没有。
这种“卡脖子”的日子，直到2018年长江存储量产第一代32层NAND闪存芯片才被打破。那天在武汉的生产基地，第一片国产高端存储芯片下线时，工程师们拿着放大镜看了半天——这片子的良率（合格产品比例）超过了预期，意味着中国终于能自己造高端存储芯片了。
最直观的变化，很快就传到了消费者手里。2019年开始，固态硬盘价格一路下跌，1TB的SSD从2000元跌到了1000元以内，到2022年甚至只要500元左右。有网友调侃：“以前买硬盘看容量手抖，现在直接按TB囤，这都是长江存储的功劳。”
到了2022年，长江存储更是放出了“王炸”——全球第一个量产232层NAND闪存芯片。要知道，芯片的层数越多，存储容量越大、速度越快、功耗越低。当时三星的最先进产品是200层左右，长江存储这一步，直接把技术标杆拉到了新高度。
更让外界惊讶的是，苹果也找上门了。有供应链消息说，苹果计划在iPhone 14系列里，用长江存储的芯片替代部分美光产品。要知道，苹果对供应链的要求出了名的严格，能入它的眼，说明长江存储的芯片质量已经跟国际巨头看齐了。
可就在长江存储要“起飞”的时候，美国的制裁来了。
## 二、复制“华为剧本”：美国的“封锁连环计”
2022年8月，美国商务部突然发布公告，把长江存储列入“实体清单”——这意味着美国企业要跟长江存储做生意，得先拿政府的许可。但这只是第一步，美国的“封锁连环计”，比这狠多了。
他们先从“制造端”下手。NAND闪存芯片的生产，离不开光刻机、刻蚀机、成膜设备这些“半导体母机”。当时长江存储的生产线里，有不少美系设备，比如应用材料（AMAT）的成膜设备、科林研发（Lam Research）的刻蚀设备。美国政府下了死命令：这些企业不能再给长江存储卖新设备，连旧设备的维修、配件都不能提供。
有内部人士透露，当时长江存储有一台美国科林研发的刻蚀机出了故障，工程师联系美方售后，对方却回复：“政府不让修，我们也没办法。”那台机器停了半个月，导致一条生产线的产能降了30%。更麻烦的是，长江存储本来计划扩产，已经订了一批美系新设备，结果美国企业直接毁约，定金都不退——这一下，扩产计划彻底泡汤。
这套路，跟2019年制裁华为如出一辙：先断设备，再卡产能，最后让你“有技术、造不出”。当时华为海思能设计出麒麟芯片，却因为台积电不能代工，只能眼睁睁看着芯片库存告急。长江存储也面临同样的困境：能设计出232层的先进芯片，却因为没有新设备，没法扩大生产，只能守着现有的生产线“啃老本”。
美国还不满足，又开始“拉帮结派”。他们给日本、荷兰施压，要求这两个国家的半导体设备企业也跟着制裁长江存储。日本的东京电子（TEL）是全球最大的半导体设备厂商之一，荷兰的ASML则垄断了高端光刻机市场。在美国的压力下，东京电子暂停了对长江存储的设备供应，ASML也拒绝向其出售用于先进制程的EUV光刻机。
这下，长江存储的日子更难了。之前买的设备，没配件修；想换设备，没地方买。有供应商回忆，那段时间长江存储的采购团队天天加班，到处找替代设备，“连欧洲、韩国的小众厂商都问遍了，可人家要么不敢卖，要么技术跟不上。”
2023年年初，长江存储董事长陈南翔在一次行业会议上，罕见地公开“吐槽”：“我们之前跟外企签的合同里，明确写了设备的维修和配件服务。现在他们说断就断，按合同约定，这些设备是不是该回购？是不是该赔偿我们的损失？”
这话一出，懂行的人都听出了弦外之音——要是长江存储真走投无路，绝不会把“伤口”露给对手看。董事长敢这么说，说明他们已经找到了破局的办法。
## 三、两年“补课”：从“拆美系设备”到“国产设备当家”
从2022年被制裁到2024年，整整两年时间，长江存储没闲着。他们把重心放在了一件事上：国产设备替代。
要知道，半导体生产线就像一条精密的“流水线”，光刻、刻蚀、成膜、清洗、检测，每个环节都得有对应的设备，而且设备之间要完美配合，差一点都不行。之前长江存储用的是美系设备，现在要换成国产的，相当于把整条“流水线”拆了重搭，难度可想而知。
第一步，是找“靠谱的国产队友”。长江存储的工程师们拿着设备清单，一家家走访国内的半导体设备厂商。当时国内做刻蚀设备的中微公司，已经能造出7纳米的刻蚀机，技术跟美系设备差距不大；做薄膜沉积（成膜）设备的拓荆科技，虽然成立时间不长，但在PECVD（等离子体化学气相沉积）设备上已经有了突破；还有北方华创，能提供从刻蚀、成膜到清洗的“一站式设备方案”。
但光有设备还不够，还得“磨合”。2023年3月，长江存储在武汉的一条试验生产线里，第一次拆了美国科林研发的刻蚀机，换上了中微公司的设备。刚开始的时候，问题不断：设备的稳定性不如美系的，生产出来的芯片良率只有60%（美系设备能到85%以上）；而且设备的“节拍时间”（每小时处理晶圆的数量）也慢，导致产能上不去。
中微公司的工程师们干脆搬到了长江存储的厂区，24小时守在生产线旁。他们跟长江存储的工艺工程师一起，每天记录设备的参数，调整工艺方案。比如刻蚀的时候，要控制等离子体的密度、蚀刻的时间，差0.1秒，芯片的性能就会受影响。他们花了三个月时间，反复调试，终于把良率提到了80%以上，节拍时间也跟美系设备拉近了差距。
成膜设备的替代，更费劲。成膜是在晶圆上“镀”一层薄薄的膜，膜的厚度要精确到纳米级（1纳米等于头发丝直径的10万分之一），而且膜的均匀性要好，不能有一点瑕疵。拓荆科技的PECVD设备，刚开始在长江存储试用时，膜的均匀性总是不达标。拓荆的研发团队把实验室搬到了长江存储，每天做上百次试验，调整气体流量、温度、压力，终于在2023年下半年，把膜的均匀性控制在了±3%以内，达到了量产要求。
北方华创则承担了“补短板”的角色。之前长江存储的清洗设备用的是美国泛林半导体的产品，北方华创的清洗设备虽然技术成熟，但跟其他国产设备的兼容性还需要优化。北方华创的工程师跟中微、拓荆的团队合作，调整设备的接口协议，让清洗设备能跟刻蚀、成膜设备无缝衔接。到2023年底，这条试验生产线的国产设备占比已经超过了70%，良率和产能都达到了预期。
2024年初，长江存储开始在主力生产线上推广国产设备。现在走进长江存储的生产车间，能看到这样的场景：中微的刻蚀机在晶圆上“雕刻”精细的电路，拓荆的成膜设备在晶圆上“镀”上均匀的薄膜，北方华创的清洗设备把晶圆上的杂质清理干净，整条生产线有条不紊地运转着。虽然还有少量美国应用材料、日本东京电子的设备，但它们已经不是“主力”，更多是作为“备用设备”存在。
国产设备的替代，不仅解决了“卡脖子”的问题，还带来了一个意外的好处：成本下降。国产设备的价格比美系设备低30%左右，而且维修和配件服务更及时——中微公司的工程师当天就能响应维修需求，而之前美系设备的售后，光排队就要等半个月。
## 四、彭博社的“质疑”与长江存储的“底气”
就在长江存储的国产替代搞得风生水起的时候，彭博社在2024年2月的报道里，抛出了一个“质疑”：长江存储现在生产的NAND闪存芯片，层数从之前的232层降到了162层，暗戳戳地暗示“国产设备技术不行，只能造低端芯片”。
这个质疑，乍一看好像有点道理——层数少了，存储容量不就降了吗？但懂芯片工艺的人都知道，这是个“伪命题”。
长江存储的工艺工程师解释说：“芯片的层数不是越高越好，关键要看应用场景。比如手机里的存储芯片，需要小体积、低功耗，162层的芯片反而更合适；而服务器里的存储芯片，需要大容量，后续我们会推出更高层数的产品。”
更重要的是，层数的变化跟设备没关系，而是跟“工艺磨合”有关。就像你刚换了一辆新车，刚开始不会把油门踩到底，得先熟悉车况，等开顺手了再加速。长江存储用国产设备生产芯片，也是一样的道理：先从162层的工艺开始，把设备的稳定性、工艺的兼容性摸透，等后续优化好工艺参数，232层甚至更高层数的芯片，照样能造出来。
而且，长江存储还拿出了“实锤”：2024年3月，他们在一次行业展会上，展示了用国产设备生产的162层NAND芯片的性能数据——连续读取速度达到了3500MB/s，连续写入速度达到了3000MB/s，跟用美系设备生产的232层芯片相比，速度只差了5%，但功耗降低了10%。这意味着，就算是162层的芯片，在手机、平板等消费电子领域，性能完全够用。
彭博社的质疑，反而成了长江存储的“秀肌肉”机会。越来越多的国际厂商开始关注长江存储——比如美国的柏利科技（Perry Technology），这家公司主要做工业级固态硬盘，之前一直用美光的芯片。2024年4月，柏利科技跟长江存储签了合作协议，计划用长江存储的162层芯片，生产面向全球市场的工业级SSD。
柏利科技的CEO在接受采访时说：“我们测试了长江存储的芯片，性能和稳定性都很好，而且价格比美光的低15%。在商言商，我们没有理由拒绝这样的合作伙伴。”
一边是美国政府的“围追堵截”，一边是美国企业的“主动合作”，这反差十足的画面，恰恰说明：在全球化的产业链里，技术和市场才是“硬通货”，靠政治手段搞封锁，最终只会被市场抛弃。
## 五、技术“超车”：从“跟跑”到“领跑”的混合键合技术
如果说国产设备替代是长江存储的“生存之战”，那技术创新就是它的“突围之战”。在被制裁的两年里，长江存储不仅没停下创新的脚步，反而在一项关键技术上实现了“反超”——混合键合技术（Hybrid Bonding）。
要理解这项技术的重要性，得先说说传统的芯片“互联”方式。之前的芯片，是通过“焊线”把不同的芯片连接起来，就像用电线把两个电器连在一起。但随着芯片越来越小，焊线的密度不够，速度也慢，满足不了高端芯片的需求。
混合键合技术，相当于把“电线”换成了“纳米级的桥梁”。它能在两块独立的芯片上，做出直径只有1微米（1微米等于1000纳米）的“焊点”，然后把两块芯片精准对接，就像拼图一样。这样一来，芯片之间的信号传输速度更快、功耗更低，而且能在更小的空间里集成更多的功能。
这项技术有多难？三星、SK海力士从2019年就开始研发，到2023年还没实现量产。而长江存储在2022年被制裁后，把研发重心放在了混合键合技术上，只用了一年多时间，就在2024年初实现了量产。
长江存储的研发总监回忆：“当时我们没有参考资料，因为三星、SK海力士的技术都是保密的。我们只能自己摸索，光‘焊点’的材料配方，就试验了上百种。”
比如“焊点”的金属材料，刚开始用的是铜，但铜在高温下容易氧化，导致接触不良。研发团队尝试在铜表面镀上一层薄薄的锡，既解决了氧化问题，又提高了焊点的导电性。还有芯片的“对准精度”，需要控制在0.1微米以内（相当于一根头发丝直径的千分之一），研发团队跟国内的精密仪器厂商合作，开发了专门的对准系统，终于达到了要求。
2024年3月，长江存储发布了基于混合键合技术的x-tacking 3.0架构芯片。测试数据显示，这款芯片的随机读取速度达到了10万IOPS（每秒输入输出操作），比三星的同类芯片快了20%；而且芯片的体积比传统芯片小了30%，能更轻松地塞进超薄笔记本和折叠屏手机里。
国际调研机构TechInsights在报告里说：“长江存储的混合键合技术，已经领先三星、SK海力士至少12个月。未来两年，三星和SK海力士很难追上这个差距。”
这项技术的突破，不仅让长江存储在高端芯片市场有了话语权，还带动了国内整个半导体产业链的发展。比如为长江存储提供对准系统的精密仪器厂商，现在已经能把设备卖给其他芯片企业；研发“焊点”材料的化工企业，也开始拓展国际市场。
## 六、中国市场的“托底”：技术崛起的“阳谋”
长江存储能在两年内实现“破局”，背后还有一个关键因素：中国庞大的消费市场。
就像华为的手机业务一样，早期的华为P系列、Mate系列，用的海思K3V2芯片，存在发热严重、兼容性差的问题，口碑并不好。但中国消费者给了华为机会——很多人愿意买华为手机，支持国产技术。正是靠着中国市场的“托底”，华为才能不断迭代芯片技术，从K3V2到麒麟9000，一步步追上国际巨头。
长江存储也是一样。2023年，在中国的固态硬盘市场上，长江存储的份额从2022年的15%涨到了28%。联想、小米、荣耀这些国内厂商，纷纷在自己的笔记本和手机里，用长江存储的芯片。比如小米的Redmi Book Pro系列，2023年下半年推出的机型，全系搭载了长江存储的1TB SSD，销量比上一代增长了40%。
国内厂商的支持，给了长江存储“迭代的底气”。他们可以把新研发的芯片，先在国内市场试用，收集用户的反馈，然后不断优化技术。比如2023年推出的162层芯片，刚开始在小米手机里使用时，有用户反映“读取速度偶尔卡顿”。长江存储的工程师们根据小米提供的反馈，调整了芯片的固件（相当于芯片的“操作系统”），很快就解决了问题。
这种“中国市场-技术迭代-全球市场”的模式，就是中国技术崛起的“阳谋”——我们不搞垄断，不搞封锁，而是靠庞大的市场需求，给国产技术“试错和成长的空间”，等技术成熟了，再走向全球市场。
就像长江存储现在的规划：2024年，他们计划把国产设备的占比提高到90%，产能提升50%；2025年，推出基于混合键合技术的256层NAND芯片，进军全球服务器存储市场。到时候，长江存储不仅能打破三星、美光的垄断，还能让全球消费者用上更便宜、更优质的存储产品。
## 七、封锁与反超：中国半导体产业的“缩影”
长江存储的故事，不是个例，而是中国半导体产业的“缩影”。
从华为海思到中芯国际，从北方华创到中微公司，中国的半导体企业，都在经历“被制裁-找差距-补短板-实现突破”的过程。美国的封锁，虽然给我们带来了困难，但也让我们看清了“核心技术必须掌握在自己手里”的道理。
就像长江存储的一位工程师说的：“以前我们还会想着，实在不行就买美系设备。现在被制裁了，反而逼得我们把国产设备的潜力挖了出来。”
2024年4月，美国商务部又出台了新的制裁措施，试图进一步限制对中国半导体产业的技术出口。但这一次，中国企业的反应很平静——长江存储继续推进国产设备的替代，中芯国际在14纳米工艺上的良率已经达到了国际水平，北方华创的EUV光刻机研发也有了新进展。
这说明，中国半导体产业已经度过了“最艰难的时刻”。现在的我们，不再害怕封锁，因为我们有庞大的市场、有坚韧的研发团队、有完整的产业链配套。美国越是想遏制，越能激发我们的创新热情，越能加速国产替代的进程。
长江存储的车间里，有一句标语：“每一块芯片，都是中国技术的勋章。”这句话，不仅是长江存储的信念，也是中国半导体产业的追求。从被卡脖子到技术反超，长江存储用两年时间证明：只要我们认准方向，沉下心来干，就没有迈不过去的坎，就没有突破不了的封锁。
未来，当我们拿起手机、打开电脑，用到的是中国自己造的存储芯片时，我们或许会想起：在武汉的那片生产基地里，有一群工程师，用两年的时间，把美国的“封锁剧本”，撕成了废纸。